
Universidade realiza pesquisas sobre o material desde 2005. Foto: divulgação.
A Universidade de Caxias do Sul (UCS), na serra gaúcha, inaugurou um novo laboratório para produzir grafeno, considerado um dos materiais do futuro, em escala industrial.
O grafeno é uma nanopartícula extraída do grafite, de apenas um átomo de espessura e 200 vezes mais resistente que o aço, bastante utilizado na produção de componentes eletrônicos, baterias, telas e displays LCD, além de muitos outros usos.
Devido à alta resistência mecânica, capacidade de transmissão de dados e economia de energia, é considerado um dos maiores recursos da atualidade para aplicações em alta tecnologia.
Ele foi isolado pela primeira vez na Inglaterra em 2004, em pesquisa que ganharia o Prêmio Nobel de Física em 2010. Desde 2005, a área de engenharia e ciências dos materiais da UCS realiza pesquisas sobre a descoberta.
Segundo a universidade, a UCSGraphene será a primeira e maior planta de produção de grafeno em escala industrial da América Latina implementada por uma universidade, além de ser a maior em capacidade produtiva.
Serão até 500 kg produzidos ao ano com possibilidade de ampliação para 5 mil kg ao ano após 12 meses.
“Estamos colocando Caxias, o Rio Grande do Sul e o Brasil no mapa mundial da tecnologia”, afirmou José Quadros dos Santos, presidente da Fundação Universidade de Caxias do Sul.
O Brasil é o terceiro maior produtor de grafeno do mundo, atrás de China e Índia, e o maior detentor de reservas de grafite, sendo a maioria delas localizadas em Minas Gerais.
O grafeno é produzido em outras quatro universidades brasileiras: Universidade Estadual de Ponta Grossa (UEPG), no Paraná, Universidade Presbiteriana Mackenzie, em São Paulo, Universidade de Brasília (UnB), e Universidade Federal de Minas Gerais (UFMG).
Segundo especialistas, materiais como o grafeno podem em até 10 anos gerar cerca de US$ 1 trilhão em diversos setores, que podem ir de defesa, filtragem de água, a materiais plásticos e displays flexíveis e transparentes para smartphones.