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A Intel Corporation e a Micron Technology anunciam nesta terça-feira, 09, a primeira tecnologia NAND de 25 nanômetros do mundo.
Criado pela IM Flash Technologies, a t venture da Intel e da Micron para memória flash NAND, o processo de 25nm produz 8 gigabytes de armazenamento em um único dispositivo NAND, mede 167 mm² e conta com 10 vezes a capacidade para o armazenamento de dados do CD.
A novidade promete aumento da capacidade de armazenamento em smartphones, reprodutores de mídia e músicas, bem como novos drives em estado sólidos (SSDs) de alto desempenho.
O dispositivo de 8GB e 25nm já está sendo testado e deverá entrar em produção em massa no segundo trimestre de 2010.
Para os fabricantes de eletrônicos de consumo, o dispositivo fornece a maior densidade em uma única matriz multi-level cell (MLC) com 2 bits por célula que utilizará o padrão thin small-outline package (TSOP).
O novo dispositivo de 8 GB e 25nm reduz o número de chips em 50%, em comparação às gerações anteriores de processo, possibilitando designs menores e ainda assim com maiores densidades e melhores eficiências com relação aos custos.
Por exemplo, um drive em estado sólido de 256 GB agora pode ser habilitado com 32 desses dispositivos (ao invés dos 64 anteriores), um smartphone com 32GB precisa de quatro e um cartão de memória de 16GB requer dois.
Criado pela IM Flash Technologies, a t venture da Intel e da Micron para memória flash NAND, o processo de 25nm produz 8 gigabytes de armazenamento em um único dispositivo NAND, mede 167 mm² e conta com 10 vezes a capacidade para o armazenamento de dados do CD.
A novidade promete aumento da capacidade de armazenamento em smartphones, reprodutores de mídia e músicas, bem como novos drives em estado sólidos (SSDs) de alto desempenho.
O dispositivo de 8GB e 25nm já está sendo testado e deverá entrar em produção em massa no segundo trimestre de 2010.
Para os fabricantes de eletrônicos de consumo, o dispositivo fornece a maior densidade em uma única matriz multi-level cell (MLC) com 2 bits por célula que utilizará o padrão thin small-outline package (TSOP).
O novo dispositivo de 8 GB e 25nm reduz o número de chips em 50%, em comparação às gerações anteriores de processo, possibilitando designs menores e ainda assim com maiores densidades e melhores eficiências com relação aos custos.
Por exemplo, um drive em estado sólido de 256 GB agora pode ser habilitado com 32 desses dispositivos (ao invés dos 64 anteriores), um smartphone com 32GB precisa de quatro e um cartão de memória de 16GB requer dois.